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封裝引線框架(封裝引線框架干啥的)
大家好!今天讓創(chuàng)意嶺的小編來大家介紹下關(guān)于封裝引線框架的問題,以下是小編對(duì)此問題的歸納整理,讓我們一起來看看吧。
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本文目錄:
一、sop封裝框架有鍍鎳鈀金的嗎
有。
域形成有鍍鎳鈀金層,所述引線框架單元的側(cè)壁及框架本體上的非功能區(qū)無電鍍層。
電鍍鎳金與化學(xué)鎳鈀金優(yōu)缺點(diǎn)比較而化學(xué)鎳鈀金制程則不須連接導(dǎo)線bar,并且具有良好之均勻性。在打線的過程中,化學(xué)鎳層為主要基地。
二、CPU封裝形式的各類封裝詳細(xì)解釋
DIP封裝(Dual In-line Package),也叫雙列直插式封裝技術(shù),指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片,絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路均采用這種封裝形式,其引腳數(shù)一般不超過 100。DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳,需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上。當(dāng)然,也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電路板上進(jìn)行焊接。 DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時(shí)應(yīng)特別小心,以免損壞管腳。DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有:多層陶瓷雙列直插式DIP,單層陶瓷雙列直插式DIP,引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式,塑料包封結(jié)構(gòu)式,陶瓷低熔玻璃封裝式)等。
DIP封裝具有以下特點(diǎn):
1.適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接,操作方便。
2.芯片面積與封裝面積之間的比值較大,故體積也較大。
最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封裝,通過其上的兩排引腳可插到主板上的插槽或焊接在主板上。 BGA技術(shù)(Ball Grid Array Package)即球柵陣列封裝技術(shù)。該技術(shù)的出現(xiàn)便成為CPU、主板南、北橋芯片等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。但BGA封裝占用基板的面積比較大。雖然該技術(shù)的I/O引腳數(shù)增多,但引腳之間的距離遠(yuǎn)大于QFP,從而提高了組裝成品率。而且該技術(shù)采用了可控塌陷芯片法焊接,從而可以改善它的電熱性能。另外該技術(shù)的組裝可用共面焊接,從而能大大提高封裝的可靠性;并且由該技術(shù)實(shí)現(xiàn)的封裝CPU信號(hào)傳輸延遲小,適應(yīng)頻率可以提高很大。
BGA封裝具有以下特點(diǎn):
1.I/O引腳數(shù)雖然增多,但引腳之間的距離遠(yuǎn)大于QFP封裝方式,提高了成品率
2.雖然BGA的功耗增加,但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接,從而可以改善電熱性能
3.信號(hào)傳輸延遲小,適應(yīng)頻率大大提高
4.組裝可用共面焊接,可靠性大大提高
目前較為常見的封裝形式: mPGA,微型PGA封裝,目前只有AMD公司的Athlon 64和英特爾公司的Xeon(至強(qiáng))系列CPU等少數(shù)產(chǎn)品所采用,而且多是些高端產(chǎn)品,是種先進(jìn)的封裝形式。
CPGA封裝
CPGA也就是常說的陶瓷封裝,全稱為Ceramic PGA。主要在Thunderbird(雷鳥)核心和“Palomino”核心的Athlon處理器上采用。 “S.E.C.C.”是“Single Edge Contact Cartridge”縮寫,是單邊接觸卡盒的縮寫。為了與主板連接,處理器被插入一個(gè)插槽。它不使用針腳,而是使用“金手指”觸點(diǎn),處理器使用這些觸點(diǎn)來傳遞信號(hào)。S.E.C.C. 被一個(gè)金屬殼覆蓋,這個(gè)殼覆蓋了整個(gè)卡盒組件的頂端??ê械谋趁媸且粋€(gè)熱材料鍍層,充當(dāng)了散熱器。S.E.C.C. 內(nèi)部,大多數(shù)處理器有一個(gè)被稱為基體的印刷電路板連接起處理器、二級(jí)高速緩存和總線終止電路。S.E.C.C. 封裝用于有 242 個(gè)觸點(diǎn)的英特爾奔騰II 處理器和有 330 個(gè)觸點(diǎn)的奔騰II 至強(qiáng)和奔騰 III 至強(qiáng)處理器。
S.E.C.C.2 封裝
S.E.C.C.2 封裝與 S.E.C.C. 封裝相似,除了S.E.C.C.2 使用更少的保護(hù)性包裝并且不含有導(dǎo)熱鍍層。S.E.C.C.2 封裝用于一些較晚版本的奔騰II 處理器和奔騰 III 處理器(242 觸點(diǎn))。
S.E.P.封裝
“S.E.P.”是“Single Edge Processor”的縮寫,是單邊處理器的縮寫?!癝.E.P.”封裝類似于“S.E.C.C.”或者“S.E.C.C.2”封裝,也是采用單邊插入到 Slot插槽中,以金手指與插槽接觸,但是它沒有全包裝外殼,底板電路從處理器底部是可見的?!癝.E.P.”封裝應(yīng)用于早期的242根金手指的 Intel Celeron 處理器。
三、中國(guó)芯傳來3大好消息,研發(fā)高端芯片難點(diǎn)被解決,這一次能取得突破嗎?
終于突破了!中國(guó)芯傳來3大好消息,研發(fā)高端芯片難點(diǎn)被解決!
眾所周知,自從進(jìn)入21世紀(jì)以后,移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和科技就開始快速的發(fā)展起來,在現(xiàn)代科技領(lǐng)域里,有一大發(fā)展的核心是我們不得不重視的,而它就是半導(dǎo)體芯片;作為現(xiàn)代科技發(fā)展的頂級(jí)智慧結(jié)晶,半導(dǎo)體芯片在整個(gè)科技領(lǐng)域都發(fā)揮著無可替代的作用,正是因?yàn)樾酒绱说闹匾?,所以世界各?guó)也都十分注重半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的發(fā)展!
此前我國(guó)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的發(fā)展起步較晚,基礎(chǔ)也較晚薄弱,所以我們遲遲都沒能生產(chǎn)出高端的國(guó)產(chǎn)芯片來,而長(zhǎng)期以來,國(guó)產(chǎn)科技企業(yè)生產(chǎn)所需的芯片也幾乎都是依賴于從國(guó)外進(jìn)口而來,這就造成國(guó)產(chǎn)科技企業(yè)的發(fā)展很容易被人“卡脖子”,像我國(guó)的華為公司被打壓就是最好的警示,所以現(xiàn)在全國(guó)上下也開始掀起了一股研發(fā)芯片的潮流!
根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示,截至到2019年,我國(guó)芯片自給率僅有30%;為了能更快地提高芯片國(guó)產(chǎn)化發(fā)展,我國(guó)也確定了芯片發(fā)展的5年計(jì)劃,要在2025年的時(shí)候,實(shí)現(xiàn)芯片自給率達(dá)到70%。想要在5年的時(shí)間里讓國(guó)產(chǎn)芯片的自給率翻一番,可以說這個(gè)目標(biāo)還是相當(dāng)大的,但不管怎樣,為了能盡快提高國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的發(fā)展,我們也必須要付出相應(yīng)的努力才行!不然,華為的遭遇,將會(huì)原封不動(dòng)地降臨到其他中國(guó)科技企業(yè)身上。
如今在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上,華為已經(jīng)開始在布局芯片生產(chǎn)市場(chǎng)領(lǐng)域的發(fā)展了,而中科院也已經(jīng)宣布將進(jìn)入光刻機(jī)等卡脖子技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā);除此以外,還有不少國(guó)產(chǎn)科技企業(yè)都在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域進(jìn)行著研發(fā),經(jīng)過不斷的努力,如今終于取得了突破,中國(guó)芯片傳來3大好消息,研發(fā)高端芯片難點(diǎn)被解決!
首先第一大好消息就是,中芯國(guó)際所研發(fā)的N+1芯片制程工藝已經(jīng)成功流片,根據(jù)測(cè)試,中芯國(guó)際N+1工藝制造的芯片,整體性能與臺(tái)積電的7nm工藝芯片相接近,這也就意味著我國(guó)離自主生產(chǎn)7nm工藝芯片更進(jìn)一步;第二大好消息則是在光刻膠領(lǐng)域,要知道想要制造高端芯片,光刻膠是必不可少的,而此前光刻膠市場(chǎng)幾乎都被日韓半導(dǎo)體企業(yè)所壟斷,一直以來我們也都只能從日韓光刻膠制造商那里購(gòu)買,但國(guó)產(chǎn)科技企業(yè)寧波南大光電發(fā)布公告稱:它們所生產(chǎn)的高端ArF光刻膠已經(jīng)通過各項(xiàng)測(cè)試,良品率達(dá)標(biāo);而南大光電此次通過測(cè)試的ArF光刻膠,可以用于90nm-7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝,這也就意味著我們有了生產(chǎn)高端芯片的光刻膠。
最后第三大好消息就是在芯片封測(cè)領(lǐng)域,我們也已經(jīng)取得了突破,國(guó)內(nèi)的歐菲光集團(tuán)表示,它們已成功研發(fā)出半導(dǎo)體封裝用高端引線框架,這一次歐菲光集團(tuán)研發(fā)的“引線框架”是一種較為先進(jìn)的封測(cè)技術(shù),可用于高端芯片的封測(cè)!可以說現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)科技企業(yè)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)越來越快了,而有了這3大突破,也就意味著后續(xù)我國(guó)在生產(chǎn)高端芯片時(shí)的一些難點(diǎn)被解決,這也將極大的幫助我們加快在國(guó)產(chǎn)芯片研發(fā)領(lǐng)域的發(fā)展,等到我們實(shí)現(xiàn)芯片國(guó)產(chǎn)化以后,就再也不怕卡脖子了,不知道對(duì)此你是怎么看的呢?歡迎留言!
四、封裝形式的具體介紹
70年代流行的是雙列直插封裝,簡(jiǎn)稱DIP(Dual In-line Package)。DIP封裝結(jié)構(gòu)具有以下特點(diǎn):
1.適合PCB的穿孔安裝;
2.比TO型封裝(圖1)易于對(duì)PCB布線;
3.操作方便。
DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有:多層陶瓷雙列直插式DIP,單層陶瓷雙列直插式DIP,引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式,塑料包封結(jié)構(gòu)式,陶瓷低熔玻璃封裝式),如圖2所示。
衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比,這個(gè)比值越接近1越好。以采用40根I/O引腳塑料包封雙列直插式封裝(PDIP)的CPU為例,其芯片面積/封裝面積=3×3/15.24×50=1:86,離1相差很遠(yuǎn)。不難看出,這種封裝尺寸遠(yuǎn)比芯片大,說明封裝效率很低,占去了很多有效安裝面積。
Intel公司這期間的CPU如8086、80286都采用PDIP封裝。 80年代出現(xiàn)了芯片載體封裝,其中有陶瓷無引線芯片載體LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引線芯片載體PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封裝SOP(Small Outline Package)、塑料四邊引出扁平封裝PQFP(Plastic Quad Flat Package),封裝結(jié)構(gòu)形式如圖3、圖4和圖5所示。
以0.5mm焊區(qū)中心距,208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例,外形尺寸28×28mm,芯片尺寸10×10mm,則芯片面積/封裝面積=10×10/28×28=1:7.8,由此可見QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。QFP的特點(diǎn)是:
1.適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線;
2.封裝外形尺寸小,寄生參數(shù)減小,適合高頻應(yīng)用;
3.操作方便;
4.可靠性高。
在這期間,Intel公司的CPU,如Intel 80386就采用塑料四邊引出扁平封裝PQFP。 90年代隨著集成技術(shù)的進(jìn)步、設(shè)備的改進(jìn)和深亞微米技術(shù)的使用,LSI、VLSI、ULSI相繼出現(xiàn),硅單芯片集成度不斷提高,對(duì)集成電路封裝要求更加嚴(yán)格,I/O引腳數(shù)急劇增加,功耗也隨之增大。為滿足發(fā)展的需要,在原有封裝品種基礎(chǔ)上,又增添了新的品種——球柵陣列封裝,簡(jiǎn)稱BGA(Ball Grid Array Package)。
BGA一出現(xiàn)便成為CPU、南北橋等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引腳封裝的最佳選擇。其特點(diǎn)有:
1.I/O引腳數(shù)雖然增多,但引腳間距遠(yuǎn)大于QFP,從而提高了組裝成品率;
2.雖然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,簡(jiǎn)稱C4焊接,從而可以改善它的電熱性能:
3.厚度比QFP減少1/2以上,重量減輕3/4以上;
4.寄生參數(shù)減小,信號(hào)傳輸延遲小,使用頻率大大提高;
5.組裝可用共面焊接,可靠性高;
6.BGA封裝仍與QFP、PGA一樣,占用基板面積過大;
Intel公司對(duì)這種集成度很高(單芯片里達(dá)300萬(wàn)只以上晶體管),功耗很大的CPU芯片,如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷針柵陣列封裝CPGA和陶瓷球柵陣列封裝CBGA,并在外殼上安裝微型排風(fēng)扇散熱,從而達(dá)到電路的穩(wěn)定可靠工作。 BGA封裝比QFP先進(jìn),更比PGA好,但它的芯片面積/封裝面積的比值仍很低。
Tessera公司在BGA基礎(chǔ)上做了改進(jìn),研制出另一種稱為μBGA的封裝技術(shù),按0.5mm焊區(qū)中心距,芯片面積/封裝面積的比為1:4,比BGA前進(jìn)了一大步。
1994年9月日本三菱電氣研究出一種芯片面積/封裝面積=1:1.1的封裝結(jié)構(gòu),其封裝外形尺寸只比裸芯片大一點(diǎn)點(diǎn)。也就是說,單個(gè)IC芯片有多大,封裝尺寸就有多大,從而誕生了一種新的封裝形式,命名為芯片尺寸封裝,簡(jiǎn)稱CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封裝具有以下特點(diǎn):
1.滿足了LSI芯片引出腳不斷增加的需要;
2.解決了IC裸芯片不能進(jìn)行交流參數(shù)測(cè)試和老化篩選的問題;
3.封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10,延遲時(shí)間縮小到極短。
曾有人想,當(dāng)單芯片一時(shí)還達(dá)不到多種芯片的集成度時(shí),能否將高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和專用集成電路芯片(ASIC)在高密度多層互聯(lián)基板上用表面安裝技術(shù)(SMT)組裝成為多種多樣電子組件、子系統(tǒng)或系統(tǒng)。由這種想法產(chǎn)生出多芯片組件MCM(Multi Chip Model)。它將對(duì)現(xiàn)代化的計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化、通訊業(yè)等領(lǐng)域產(chǎn)生重大影響。MCM的特點(diǎn)有:
1.封裝延遲時(shí)間縮小,易于實(shí)現(xiàn)組件高速化;
2.縮小整機(jī)/組件封裝尺寸和重量,一般體積減小1/4,重量減輕1/3;
3.可靠性大大提高。
隨著LSI設(shè)計(jì)技術(shù)和工藝的進(jìn)步及深亞微米技術(shù)和微細(xì)化縮小芯片尺寸等技術(shù)的使用,人們產(chǎn)生了將多個(gè)LSI芯片組裝在一個(gè)精密多層布線的外殼內(nèi)形成MCM產(chǎn)品的想法。進(jìn)一步又產(chǎn)生另一種想法:把多種芯片的電路集成在一個(gè)大圓片上,從而又導(dǎo)致了封裝由單個(gè)小芯片級(jí)轉(zhuǎn)向硅圓片級(jí)(wafer level)封裝的變革,由此引出系統(tǒng)級(jí)芯片SOC(System On Chip)和電腦級(jí)芯片PCOC(PC On Chip)。
隨著CPU和其他ULSI電路的進(jìn)步,集成電路的封裝形式也將有相應(yīng)的發(fā)展,而封裝形式的進(jìn)步又將反過來促成芯片技術(shù)向前發(fā)展。
封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護(hù)芯片及增強(qiáng)電熱性能等方面的作用,而且還通過芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件相連接。衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比,這個(gè)比值越接近1越好。 結(jié)構(gòu)方面: TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;
材料方面:
金屬、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料;
引腳形狀:
長(zhǎng)引線直插->短引線或無引線貼裝->球狀凸點(diǎn);
裝配方式:
通孔插裝->表面組裝->直接安裝。
DIP--Double In-line Package--雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝,應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC,存貯器LSI,微機(jī)電路等。
PLCC--Plastic Leaded Chip Carrier--PLCC封裝方式,外形呈正方形,32腳封裝,四周都有管腳,外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線,具有外形尺寸小、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。
PQFP--Plastic Quad Flat Package--PQFP封裝的芯片引腳之間距離很小,管腳很細(xì),一般大規(guī)?;虺笠?guī)模集成電路采用這種封裝形式,其引腳數(shù)一般都在100以上。
SOP--Small Outline Package--1968~1969年菲為浦公司就開發(fā)出小外形封裝(SOP)。以后逐漸派生出SOJ(J型引腳小外形封裝)、TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)及SOT(小外形晶體管)、SOIC(小外形集成電路)等。
以上就是關(guān)于封裝引線框架相關(guān)問題的回答。希望能幫到你,如有更多相關(guān)問題,您也可以聯(lián)系我們的客服進(jìn)行咨詢,客服也會(huì)為您講解更多精彩的知識(shí)和內(nèi)容。
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